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深度剖析iPhone6Plus召回传闻

时间:2019-05-15 04:24:25 来源:互联网 阅读:0次

近日一则:128G的iPhone6/Plus会莫名崩溃,恐导致大规模召回。的在上疯传,并且引起了不少苹果用户的担心,尤其是那些根据要买就买顶配的买买买原则而选择了128G的iPhone的用户。不过内容却引起了笔者的好奇,根据报导内容:

引发iPhone崩溃的原因居然是NAND FLASHMEMORY(闪存)模块中IC控制单元出现故障,并且苹果为了减少成本使用了低价的NAND TLC FLASH MEMORY而非成本更高、速度更快的NAND MLC FLASH MEMORY。因此当用户安装超过700个App时,iPhone便会自己崩溃,更令消费者感到担忧的是的iOS8.1更新中这个问题并未解决,问题是出在硬件上。

NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什么

首先FLASH MEMORY作为闪存装备,是类装备的重要存储介质,由日本的东芝公司于1984年发明。在FLASH MEMORY中又分为NOR FLASH和NAND FLASH两种常见的类型,其中NOR FLASH属于代产品,款商用产品是1988年Intel公司所制造的NOR FLASH芯片,不过由于抹写时间较长,成本较高的原因,NOR FLASH很快被NAND FLASH取代。NAND FLASH一样是有东芝公司发明,在1988年的国际固态电路研讨会(ISSCC)所发布。NAND FLASH具有较快的抹写时间, 而且每一个存储单元的面积也较小,这让NAND FLASH相较于NOR FLASH具有较高的存储密度与较低的每比特本钱。同时它的可抹除次数也高出NOR FLASH十倍。

在FLASH模块中,数据被存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内,在单阶存储单元(Single-level cell, SLC)装备中,每个单元只存储1比特的信息,这简称为SLC NAND FLASH,其优点是传输速度更快,功率消耗更低和存储单元的寿命更长,不过缺点也很明显:每一个存储单元包含的信息较少,其每百万字节需花费较高的成本来生产,因此不利于实际生产。

而多阶存储单元(Multi-level cell, MLC)设备则利用多种电荷值的控制让每一个单元可以存储2比特以上的数据,其多阶指的是电荷充电有多个能阶(即多个电压值),如此便能存储多个比特的值于每个存储单元中。借由每一个存储单元可存储更多的比特,MLC闪存可降低生产成本,但比起SLC闪存,其传输速度较慢,功率消耗较高和存储单元的寿命较低,因此MLC闪存技术会用在标准型的储存卡中。

而这一次被韩国媒体猛烈抨击的3阶储存单元(Triple-Level Cell, TLC)TLC闪存,它的架构原理与MLC类似,但可以在每个储存单元内储存3个信息比特。TLC的写入速度比SLC和MLC慢,寿命也比SLC和MLC短,大约1000次,但是可以做到大容量和低价格。现在,厂商已不使用TLC这个名字,而是称其为3-bit MLC。

iPhone中到底用了什么FLASH MEMORY

在韩国媒体的报导中iPhone 不仅使用了成本更低的NAND TLC FLASH,更重要的是在其控制集成电路(IC)出现了故障。在iPhone内部,这块IC主要任务是其他电子元器件和NAND之间的调度和控制,保证数据的正常写入和读取,平时用户不管是拍照还是使用运用都离不开它。

那么实际情况是否如韩国媒体报道的那样?带着好奇,笔者查阅ifixit的拆机资。根据128G的真机实拆图显示,其采取来自韩国的海力士(SKhynix)的NAND FLASH,型号为H2JTDG8UD1BMS。(图中红色部分)

这颗NAND FLASH在海力士的技术文档中被归为E2NAND 3.0,是由SK Hynix和Anobit合作开发的,而Anobit早已被苹果收购,致力于提高闪存的稳定性。虽然海力士并未明确标注H2JTDG8UD1BMS的类型,但是在全球的微电子服务站TechInsights上,H2JTDG8UD1BMS被明确规范为NAND MLC FLASH MEMORY。

因此此次韩国媒体存在着失实情况,iPhone 6 Plus所使用的就是NAND MLC FLASH MEMORY,而非所谓的便宜NAND TLC FLASH MEMORY。而至于这块FLASH中的控制IC是否存在问题,目前苹果官方并未出面解释,在其他媒体上也未见反应,因此需要进一步确认。

这则的背后

虽然iPhone 6 Plus中的技术细节已经排查清楚,那末为什么这样一则不实会出现呢?笔者接着进行了排查。

这则出现于韩国媒体BusinessKorea,蹊跷的是BusinessKorea引援的内容均来自苹果论坛上的同一个用户,他在总计159篇的讨论帖中都反映了128G iPhone 6 Plus的自动崩溃问题。

明显在这个过程中BusinessKorea存在着明显的缺失,事实明显不足,证据单一,说服力较低。除此之外,也没有查明iPhone 6 Plus的真实元器件,轻易得出了128G iPhone 6 Plus采取NAND TLC FLASH MEMORY的毛病结论。

虽然苹果官方已表态,不存在128G iPhone 6 Plus大规模自动崩溃的现象,更不可能大规模召回,但是这则失实对不少苹果用户还是造成不小的影响。在笔者的实际使用过程中,iPhone 6确实出现过程序崩溃的现象,但是次数十分少见,多为越狱后插件冲突所致,而在日常生活中和媒体上更是从未见过高频率的崩溃现象,因此各位128G的土豪用户大可放心。

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